Widerstand an der Basis eines Transistors

Knorke22222 · Anmeldungsdatum: 02.12.2014 Beiträge: 49

Meine Frage:
Hallo liebe Community,
die Aufgabe habe ich unten angehängt, zu welcher ich eine Frage hätte.
Vielen Dank für eure Hilfe!
Beste Grüße
Knorke

Meine Ideen:
In der Aufgabe muss man ja R1 bestimmen.
Ich würde wie folgt vorgehen:

damit habe ich den Basisstrom gegeben.
So und jetzt würde ich nach ohmschen Gesetz

bestimmen.

soll die Basis-Ermitterspannung bezeichnen.

Meine Fragen:
Ist der Ansatz so richtig?
Wie bekomme ich in diesem Falle

raus?

Danke!

Knorke22222 · Anmeldungsdatum: 02.12.2014 Beiträge: 49

Die Aufgabe

schnudl · Moderator Anmeldungsdatum: 15.11.2005 Beiträge: 6979 Wohnort: Wien

UBE kannst du als ca. 0.6-0.7V annehmen.

Knorke22222 · Anmeldungsdatum: 02.12.2014 Beiträge: 49

Weil es quasi eine Diode ist oder ?
Aber sonst ist mein Ansatz richtig ?
Oben vom Collectorausgend befindet sich auch eine Diode oder ? da fallen dann nochmals 0,7 Volt ab.Also UCB (Kollektorbasisspannung) auch = 0,7Volt?
Vielen Dank!

svloga · Anmeldungsdatum: 25.05.2013 Beiträge: 71

Beim Durchschalten fällt zwischen Kollektor und Emitter immer noch eine Sättigungsspannung ab (sog. U_CE_sat). Die liegt bei bipolaren Siliziumtransistoren üblicherweise bei ca. 200mV.

Knorke22222 · Anmeldungsdatum: 02.12.2014 Beiträge: 49

Alles klar, vielen Dank für die Antworten!