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Dotierung mit Donator und Akzeptator gleichzeitig
 
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ThermodynamischesGleichge



Anmeldungsdatum: 22.07.2014
Beiträge: 1

Beitrag ThermodynamischesGleichge Verfasst am: 22. Jul 2014 14:10    Titel: Dotierung mit Donator und Akzeptator gleichzeitig Antworten mit Zitat

Meine Frage:
Wenn ich ein intrinsischen Si-Chip sowohl mit Donatoren (Phosphor) als auch mit Akzeptatoren (Bor) dotiere, was passiert dann? Es wird davon augegangen, dass die Donatorendichte höher ist.


Meine Ideen:
Ich habe 2 Quellen, die erste sagt mir aus, dass dann alleine die höhere Dotierung vorliegt. Das heisst wenn die Donatordichte höher ist, gilt in dem Chip:

n = N_D

und p = (ni²)/N_A


Die andere Quelle meint, dass ich dann mit der Differenz zwischen Donatoren und Akzeptatoren rechnen muss.

Also n = (N_D - N_A)

und p = (ni²)/(N_D - N_A)

Was stimmt nun?
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