Elektronenbeweglichkeit bei n-dotiertem Si berechnen

needsomehelphere · Anmeldungsdatum: 25.04.2010 Beiträge: 1

Meine Frage:
Es soll die Elektronenbeweglichkeit für n-dotiertes Silizium bei T=300K und dem spezifischen Widerstand von 15 {Ohm*cm} berechnet werden.

Meine Ideen:
Näherungsweise gilt:

1/? = e * n * µn

Jetzt habe ich aber immer noch 2 unbekannte, die Elektronendichte n und die Elektronenbeweglichkeit µn.

Hier komme ich einfach nicht weiter, die Aufgabe scheint mir unterdefiniert.

needsomehelphere2 · Gast

das Fragezeichen in der Formel soll ein Phi für den spezifischen Widerstand sein

Hall · Gast

Für n gibt es bestimmt einen Tabellenwert
Hallkonstante oder so was