Transistor - Kapazitäten

aaabbb · Anmeldungsdatum: 26.09.2013 Beiträge: 509

Hallo,
wie soll man folgenden Satz verstehen?:
Je nach Betriebsbereich des Transistors existieren zwischen Basis und Emitter und zwischen Basis und Kollektor je eine Sperrschichtkapazität und eine Diffusionskapazität.

Ich meine der Transistor besteht im Grunde ja aus 2 Dioden.
Je nachdem ob eine Diode durchgeschaltet ist überwiegt ja die Diffusionskapazität öder die Sperrschichtkapazität.
Die Diffusionskapazität existiert ja bei Durchlass auf beiden Seiten einer Diode, da die jeweiligen Minoritätsträger auf beiden Seiten auserhalb der Raumladungszone erhöht sind.
Die Sperrschichtkapazität tritt bei einer Diode dagegen nur einmal auf.

Wie passt das jetzt mit der oberen Aussage zusammen?
Ich meine an jeder Diode ist im prinzip eine Sperrschichtkapazität vorhanden (auch wenn diese bei Durchlass im Prinzip vernachlässigt werden darf).
Aber an einer Diode gibt es aber doch immer 2 Diffussionskapazitätet. Warum heißt es dann: "eine Diffusionskapazität. ".
Liegt es vielleicht daran, dass die Diode im Transistor unterschiedlich stark dotiert ist. Also der Emitter ist ja stärker dotiert als die Basis.
Damit dürfte die Diffusionskapazität in der Basis größer sein als die im Emitter.

Ich weiß, das geht über die grundlegende Physik hinaus. Ich hoffe aber trotzdem, dass mir hier jemand helfen kann. smile