Was genau passiert beim pn-Übergang von Halbleitern?

techmephysics · Anmeldungsdatum: 06.09.2014 Beiträge: 187

Ich habe mehrere Fragen zum folgenden Text:

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Der p-n-Übergang ist der Übergangsbereich aneinander liegender n- und p-dotierter Halbleiterkristalle. In diesem Bereich gibt es keine freien Ladungsträger, da die freien Elektronen des n-Leiters und die freien Löcher des p-dotierten Kristalls in der Nähe der Kontaktfläche der zwei Kristalle miteinander rekombinieren, d.h. die Elektronen besetzen die freien Löcher. Diese Ladungsträgerbewegung (Diffusion) ergibt sich in Folge eines Konzentrationsgefälles: da es im p-Kristall nur wenige Elektronen und im n-Kristall nur wenige Löcher gibt, wandern die Majoritätsladungsträger (Elektronen im n-Gebiet, Löcher im p-Gebiet) in den jeweils andersartig dotierten Halbleiterkristall. Das Kristallgitter an der Grenzfläche darf nicht unterbrochen werden, ein einfaches "Aneinanderpressen" eines p- und eines n-dotierten Siliciumkristalls ermöglicht keinen funktionstüchtigen p-n-Übergang.

Quelle: https://www.halbleiter.org/grundlagen/der-p-n-uebergang/
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jh8979 · Moderator Anmeldungsdatum: 10.07.2012 Beiträge: 8582

Myon · Anmeldungsdatum: 04.12.2013 Beiträge: 5870

Vielleicht zum zweiten Zitat noch das: Die ganzen Bandstrukturen sind ja die Folge des gitterperiodischen Potentials im Halbleiterkristall. Ein p-n-Übergang funktioniert nur, wenn sich die Energiebänder über den Übergang fortsetzen und sich im ganzen Kristall ein konstantes Fermi-Niveau bildet.