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Feldeffekttransistor Frage
 
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Lado8x
Gast





Beitrag Lado8x Verfasst am: 05. Apr 2015 16:49    Titel: Feldeffekttransistor Frage Antworten mit Zitat

Kann mir jemand sagen wieso folgendes gilt:

Spannung die am Gate und Source (U_GS) abfällt ist kleiner als Null -> Sperrschicht wird breiter. Es handelt sich um einen n-Kanal mit p-Halbleiterinseln...

Der p-Halbleiter ist ja größtenteils positiv geladen und wenn nun eine negative Spannung an ihm abfällt, müsste doch die Sperrschicht im Feldeffekttransistor schmaller werden, da sich ungleichnamige Ladungen anziehen -> Siehe Prinzip Halbleiterdiode (pn-Übergang)..

Wieso passirt das hier nicht analog zur Halbleiterdiode ?
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