Frage zum pn Übergang (Halbleiter)

luckyluca3 · Gast

Meine Frage:
auf der Homepage http://www.halbleiter.org/grundlagen/p-n/ zum pn Übergang zu Halbleitern steht:

"Die Gebiete in Nähe der Grenzschicht sind auf Grund der abgewanderten freien Ladungsträger positiv (n-Kristall) bzw. negativ (p-Kristall) geladen. Je mehr Ladungsträger rekombinieren, desto größer wird diese Verarmungs- oder Raumladungszone (RLZ) und damit die Spannungsdifferenz von n- zu p-Kristall. Bei einer bestimmten Höhe dieses Potentialgefälles kommt die Rekombination der Löcher und Elektronen zum Erliegen, die Ladungsträger können das elektrische Feld nicht mehr überwinden. Bei Silicium liegt diese Grenze bei etwa 0,7 V (vgl. Bändermodell eines p-n-Übergangs)."

Müssten denn eigentlich im letzten Satz diese 0,7 V nicht in Elektronenvolt angegeben werden?

Vielen Dank im Vorraus

Meine Ideen:
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GvC · Anmeldungsdatum: 07.05.2009 Beiträge: 14861