Halbleiter-Diode

Amon · Anmeldungsdatum: 08.05.2017 Beiträge: 1

Meine Frage:
Hey, ich habe eine Frage zur Halbleiter-Diode, wieso entsteht eine elektrische Ladung in der Sperrschicht einer Diode?
Also wieso sind die rekombinierten Löcher und Elektronrn auf der n-dotierten Grenzschichtseite positiv geladen und die auf der p-dotierten negativ?

Hoffe ihr könnt mir helfen ^^

Meine Ideen:
Mir fällt wirklich kein Grund ein wieso dort Ladungen entstehen.
Liegt es vll an dem überschuss an negativ und positiv geladenen Ionen in der Diode selbst?

Steffen Bühler · Moderator Anmeldungsdatum: 13.01.2012 Beiträge: 7244

Willkommen im Physikerboard!

Es gibt keine Ionen in der Halbleiterdiode, und auch keinen "Überschuss" an irgendwelchen Ladungsträgern! Das n-dotierte Material kann aber, vereinfacht ausgedrückt, an einigen Stellen Elektronen nicht so gut "festhalten", während die p-dotierte Gegenseite an einigen Stellen Elektronen fester hält als an anderen.

Die beiden Materialien sind zunächst elektrisch neutral, wenn man sie trennt. Es gibt also da drin jeweils genausoviele Elektronen wie Protonen.

Bringt man sie aber nun zusammen, können die "lockeren" Elektronen aus der n-Seite in die "Löcher" von der p-Seite gelangen. Die n-Seite wird dadurch leicht positiv geladen, es fehlen ja nun Elektronen. Und die p-Seite hat nun mehr Elektronen, sie ist somit leicht negativ geladen.

Viele Grüße
Steffen