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elektrische Feld bei Halbleiterdiode (Raumladungen)
 
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Lupoo



Anmeldungsdatum: 31.12.2010
Beiträge: 35

Beitrag Lupoo Verfasst am: 01. Jul 2011 12:58    Titel: elektrische Feld bei Halbleiterdiode (Raumladungen) Antworten mit Zitat

Hallo,
bei den Halbleitern hab ich noch ein paar probleme:
Berühren sich eine n-dotierte und eine p-dotierte Halbleiterschicht, so diffundieren freie Elektronen aus der n-Schicht durch die Grenzfläche in die p-Schicht und rekombinieren mit den Löchern. In dem an die Berührungsschicht angrenzenden Bereich der n-Schicht entsteht eine positive, in dem entsprechenden Bereich der p-Schicht eine negative Raumladung. Das elektrische Feld dieser Raumladungen verhindert das weitere Diffundieren von Elektronen in die p-Schicht. Da der Bereich zu beiden Seiten der Berührungsschicht an Ladungsträgern verarmt ist, ist diese Zone nicht leitend.
Jetzt zu meiner Frage:
Warum verhindert das elektrische Feld das Diffundieren? Das elektrische Feld geht doch von + nach - Dann würde ja das e-Feld die Elektronen noch besser beschleunigen oder? (weil es in die gleiche Richtung wie der Elektronenstrom gerichtet ist)
Wo liegt da mein Denkfehler??
Ist das elektrische Feld in einem Stomkreis (+->-) eigentlich dann so gerichtet das es den Stromfluss hemmt?
Resultierende Driftbewegung der Elektronen = elektrische Kräfte der Spannungsquelle - elektrische Feld. => stimmt das?

Klärt mich bitte mal auf!! (schreibe am Dienstag Physik Abschlussprüfung und möchte bis dahin bitte Antworten bekommen)
Lupoo



Anmeldungsdatum: 31.12.2010
Beiträge: 35

Beitrag Lupoo Verfasst am: 04. Jul 2011 12:19    Titel: Antworten mit Zitat

kann mir denn niemand helfen?? Bitte möglichst bald antworten, da ich morgen physik abschlussprüfung schreibe! Ansage
GvC



Anmeldungsdatum: 07.05.2009
Beiträge: 14861

Beitrag GvC Verfasst am: 04. Jul 2011 13:44    Titel: Antworten mit Zitat

Da die Elektronen negativ geladen sind, wirkt auf sie eine Kraft von Minus nach Plus. So wird die weitere Elektronendiffusion von der positiven in die negative Raumladungszone verhindert.
Lupoo



Anmeldungsdatum: 31.12.2010
Beiträge: 35

Beitrag Lupoo Verfasst am: 04. Jul 2011 15:07    Titel: Antworten mit Zitat

ok danke, aber das elektrische Feld hat keine Bedeutung oder? Warum wird es denn trotzdem immer mit angegeben?
GvC



Anmeldungsdatum: 07.05.2009
Beiträge: 14861

Beitrag GvC Verfasst am: 04. Jul 2011 15:56    Titel: Antworten mit Zitat

Wieso? Es hat genau die Bedeutung, die Diffusion zu stoppen, sobald die Feldkraft auf die Ladungsträger F=e*E gleich der Diffusionskraft ist.
Lupoo



Anmeldungsdatum: 31.12.2010
Beiträge: 35

Beitrag Lupoo Verfasst am: 04. Jul 2011 16:15    Titel: Antworten mit Zitat

aber wieso denn stoppen? Es geht doch von + nach - also vom n-halbleiter zum p-halbleiter. Dann würde es doch in die Richtung der Diffusionskraft zeigen, oder?
GvC



Anmeldungsdatum: 07.05.2009
Beiträge: 14861

Beitrag GvC Verfasst am: 04. Jul 2011 16:24    Titel: Antworten mit Zitat

Die Diffusion geht vom n- zum p-Gebiet. Die Feldstärke also auch vom n- zum p-Gebiet. Die Feldkraft auf die Elektronen ist demnach vom p- zum n-Gebiet, also der Diffusionsrichtung entgegen gerichtet.
Lupoo



Anmeldungsdatum: 31.12.2010
Beiträge: 35

Beitrag Lupoo Verfasst am: 04. Jul 2011 16:30    Titel: Antworten mit Zitat

was ist denn der unterschied zwischen Feldstärke und Feldkraft??
GvC



Anmeldungsdatum: 07.05.2009
Beiträge: 14861

Beitrag GvC Verfasst am: 04. Jul 2011 17:19    Titel: Antworten mit Zitat

(elektrische) Feldstärke E
(mechanische) Feldkraft F=e*E (habe ich in meinem vorletzten Beitrag bereits gesagt)

Da e negativ ist, ist die Feldkraft der Feldstärke entgegengerichtet.
Lupoo



Anmeldungsdatum: 31.12.2010
Beiträge: 35

Beitrag Lupoo Verfasst am: 04. Jul 2011 18:27    Titel: Antworten mit Zitat

ja ok danke
die Formel haben wir zwar nicht gelernt, aber ich habs einigermaßen verstanden
Thumbs up! Thumbs up!
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