Bandstruktur von Silizium

zward · Anmeldungsdatum: 01.12.2011 Beiträge: 1

Hallo,
ich habe mal eine frage zur der Bandstruktur von Silizium. Übergänge sollen bei Energien von 1,1; 3,4 und 4,2 eV möglich sein. Der Übergang mit 1,1eV ist ein indirekter und die anderen sollen direkte sein. Meine Frage ist wie kann das sein, gibt es mehrere Valenz und Leitungsbänder an einen Wellenvektor? Ich habe in mehreren Büchern zur Halbleiterphysik leider nichts zu diesem Verhalten gefunden. Laut der Abb. scheint die Kristallfläche eine Rolle zu spielen.
Ich würde mich über eine kurze Erklärung oder einen Hinweis auf eine entsprechende Quelle sehr freuen.

Gruß zward

semoi · Anmeldungsdatum: 20.12.2011 Beiträge: 82

Servus,
ob es mehrere Valenz- und Leitungsbänder an einem k-Vektor gibt ist ein wenig unglücklich formuliert. Der Unterschied zwischen direktem und indirektem Übergang ist z.B. bei Wikipedia "Direkte und indirekte Halbleiter"([url] http://de.wikipedia.org/wiki/Halbleiter#Direkte_und_indirekte_Halbleiter[/url]) beschrieben. Falls Du etwas wissenschaftlicheres willst, dann empfehle ich Dir die Bücher:
1) Ashcroft & Mermin: "Solid state physics" (theoretischer als Kittel)
2) Kittel: "Einführung in die Festkörperphysik"
Gruß,
Semoi