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Wilfried
Anmeldungsdatum: 23.04.2006
Beiträge: 139
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 Wilfried Verfasst am: 29. März 2007 15:06 Titel: Selbstleitender p-Kanal-FET mit isoliertem Gate |
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Schönen guten Tag,...
Ich habe hier einen Selbstleitender P-Kanal-FET mit isoliertem Gate und in der Praxis soll ein Drainstrom fließen.
Funktionsbeschreibung:
Bei einem P-Kanal-FET hat man auch ohne das am Gate eine Spannung anliegt eine leitende Verbindung zwischen Drain- und Sourceanschluss. Bei genügend großer Spannung  fließt ein Drainstrom. Liegt am Gate eine negative Spannung an, so ist  gleich Null. Wird am Gate eine positive Spannung angelegt, so wird  .
Bei einem Drainstrom liegt also an Drananschluss eine negative Spannung an und am Source eine positive. Spannung und Strom fließen von Drain zu Source, das Gate bleibt unberücksichtigt.
Ist das soweit richtig?
liebe grüße Willi
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Es ist besser zu schweigen und als Idiot verdächtigt zu werden, als zu reden und dadurch alle Zweifel zu beseitigen.
Abraham Lincoln (1809-65) |
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Rogowski
Anmeldungsdatum: 30.10.2006
Beiträge: 69
Wohnort: Linz / Austria
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Wilfried
Anmeldungsdatum: 23.04.2006
Beiträge: 139
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| Wilfried Verfasst am: 29. März 2007 18:12 Titel: |
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Also
ist das alles falsch gewesen was ich geschrieben hab?
mehr woltle ich doch garnicht wissen 
liebe grüße willi
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Es ist besser zu schweigen und als Idiot verdächtigt zu werden, als zu reden und dadurch alle Zweifel zu beseitigen.
Abraham Lincoln (1809-65) |
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dermarkus
Administrator
Anmeldungsdatum: 12.01.2006
Beiträge: 14788
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| dermarkus Verfasst am: 29. März 2007 18:33 Titel: |
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"Alles falsch" würde ich nicht gerade sagen
Aber ich finde, es dürfte hier zuerst mal am hilfreichsten sein, sich daran zu machen, zu verstehen, dass man mit der Gate-Spannung einstellen kann, wie viele frei bewegliche Ladungsträger zwischen Source und Drain sind. Man macht also mit der Gate-Spannung den leitenden Kanal auf und zu.
Und um diese Grundlagen zu verstehen, dürften Links wie der von Rogowski oder natürlich die entsprechenden Stellen in Physikbüchern (auch Schulbüchern) ziemlich gut geeignet sein. |
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Wilfried
Anmeldungsdatum: 23.04.2006
Beiträge: 139
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| Wilfried Verfasst am: 29. März 2007 19:46 Titel: |
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hi dermarkus,
ja das ist klar. Daggen sage ich auch ncihts... findi ch super von euch einem zu helfen,...
sicher will ich es versthen udn das ich über das Gate die Spannung zwischen Drain und source regeln kann ist mir auch klar. Aber kann ich es denn so stehen lassen oder würdet ihr noch was ergänzen und wenn ja in welcher Richtung?
greetz willi
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Abraham Lincoln (1809-65) |
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dermarkus
Administrator
Anmeldungsdatum: 12.01.2006
Beiträge: 14788
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| dermarkus Verfasst am: 29. März 2007 20:28 Titel: |
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| Wilfried hat Folgendes geschrieben: | das ich über das Gate die Spannung zwischen Drain und source regeln kann ist mir auch klar.
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Da bin ich nicht so ganz einverstanden. Was man da mit der Gatespannung regelt, ist ja direkt erstmal einfach die Leitfähigkeit des Kanals zwischen Source und Drain.
| Zitat: |
Aber kann ich es denn so stehen lassen oder würdet ihr noch was ergänzen und wenn ja in welcher Richtung?
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Das kann ich schwer sagen. Denn ich vermute ja, dass dir diese Aufgabe, das zu formulieren, gestellt worden ist, weil du, zum Beispiel indem du das entsprechende Kapitel in deinem Lehrbuch durcharbeitest, gelernt hast, wie so ein FET funktioniert. (Oder damit du das Kapitel durcharbeitest, um das zu verstehen.)
Und da kann ich natürlich nicht so einfach raten, was in deinem Lehrbuch dazu steht, wie umfangreich oder wie tiefgreifend die Antwort sein sollte, die da erwartet wird, oder wie du das, was du beim Lernen verstanden hast, am besten in eigene Worte fasst. |
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schnudl
Moderator
Anmeldungsdatum: 15.11.2005
Beiträge: 6979
Wohnort: Wien
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| schnudl Verfasst am: 29. März 2007 20:44 Titel: Re: Selbstleitender P-Kanal-FET mit isoliertem Gate |
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Selbstleitender P-Kanal-FET mit isoliertem Gate
| Wilfried hat Folgendes geschrieben: |
Bei einem P-Kanal-FET hat man auch ohne das am Gate eine Spannung anliegt eine leitende Verbindung zwischen Drain- und Sourceanschluss. |
stimmt
| Wilfried hat Folgendes geschrieben: |
Bei genügend großer Spannung fließt ein Drainstrom. Liegt am Gate eine negative Spannung an, so ist gleich Null. Wird am Gate eine positive Spannung angelegt, so wird . |
falsch
je negativer das Gate, umso mehr Drainstrom.
ist das Gate positiv, so wird I(D) immer kleiner; irgendwann sperrt der FET und I(D)=0.
| Wilfried hat Folgendes geschrieben: |
Bei einem Drainstrom liegt also an Drananschluss eine negative Spannung an und am Source eine positive. Spannung und Strom fließen von Drain zu Source, das Gate bleibt unberücksichtigt. |
Eine Spannung kann immer nur zwischen 2 Punkten liegen (G-S).
Eine Spannung kann nur anliegen, aber nicht fliessen.
Der Strom durch das Gate ist vernachlässigbar.
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Wenn du eine weise Antwort verlangst, musst du vernünftig fragen (Goethe) |
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Wilfried
Anmeldungsdatum: 23.04.2006
Beiträge: 139
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| Wilfried Verfasst am: 29. März 2007 22:40 Titel: DAnke euch beiden |
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DAnke euch beiden,
ihr habt mir das tHEMA MAL WIEDER NÄHER BRINGEN KÖNNEN ALS DIE hEFTE von meinem Fernlehrgang. Finde ich echt klasse, das ihr eure freizeit für uns wissbegierige hier so tapfer opfert 
greetz willi
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