SRAM

nekros7 · Anmeldungsdatum: 18.08.2006 Beiträge: 154

Ich hätte ein paar Fragen zu SRAM. Das Prinzip ist mir eigtl. klar. Man hat 6 Transistoren, davon bilden jeweils 2 einen CMOS Inverter und die anderen beiden verbinden die Zelle mit der Wordline. Mein Problem ist aber noch das ganze sinnvoll zusammenzusetzen.
Zum Beispiel konnte ich mir noch immer nicht genau die "Standby" "Read" "Write" Zustände erklären. Ich habe vor allem Probleme das ganze in den Zusammenhang mit den Bitlines und der Wordline zu bringen. Wäre schön, wenn jemand etwas posten könnte (den englischen Wikipedia Artikel habe ich bereits durchgelesen... ).

dermarkus · Administrator Anmeldungsdatum: 12.01.2006 Beiträge: 14788

Wenn du den englischen Wikipedia-Artikel

http://en.wikipedia.org/wiki/Static_random_access_memory#Design

bereits gefunden hast, dann weiß ich noch nicht so recht, wo es noch hakt, denn da ist das komplett mit Schaubild beschrieben.

Magst du mal sagen, wie weit du kommst, das (vor allem das Schaubild in Verbindung mit dem Abschnitt SRAM operation bis einschließlich dem Absatz Writing) im Detail und Schritt für Schritt nachzuvollziehen und durchzudenken, wenn du das nicht nur liest, sondern wirklich selbst durcharbeitest?

Weißt du zum Beispiel schon, dass die normalen Transistoren offen sind, wenn an ihrem Gate 1 anliegt, und sperren für Gate = 0 ?

Und hast du schon gesehen, dass die Transistoren

und

einen kleinen Kreis an ihrem Gate haben, der besagt, dass das bei ihnen umgekehrt ist (also offen für Gate = 0 und gesperrt für Gate = 1)?

nekros7 · Anmeldungsdatum: 18.08.2006 Beiträge: 154

Das mit den p und n MOS ist mir klar.
Falls

auf

ist, ist dann

auf

? Falls eine

eingspeichert seien sollte, waere dann

auf

und

auf

?
Beim Schreiben: Falls ich eine

schreiben wollte, waere dann

auf

und

auf

?

dermarkus · Administrator Anmeldungsdatum: 12.01.2006 Beiträge: 14788

Dreimal ja smile

nekros7 · Anmeldungsdatum: 18.08.2006 Beiträge: 154

OK. Danke fuer die Antwort.