Sperrschicht im Si-Halbleiter

Gimel · Anmeldungsdatum: 06.11.2007 Beiträge: 96 Wohnort: Wuppertal

Hallo Physiker!
Ich melde mich seit längerem mal wieder. Diesmal aber nicht in der Mechanik, sondern im schönen Bereich der Elektrik smile

Mir bereitet folgende Aufgabe extremes Kopfzerbrechen:

Die Sperrschicht eine Si-Halbleiters ist ca 200 mikrometer dick, wenn die Sperrspannung über der Halbleiterdiode 200 V beträgt. Berechnen Sie die Ladungsträgerkonzentration in der Sperrschicht bezogen auf die Zahl der Si-Atome ( Dichte = 2,33g/cm³ , Nukleonenzahl = 28 ). Hinweis: Vergleichen Sie die Zahl der Atomlagen mit der Zahl der hintereinanderliegenden Ladungsträger in der Sperrschicht.

Si ist natürlich Silicium.

Ich habe einfach keine Ahnung. Nichtmal einen Ansatz. Einfach garnichts.
Der Prof. meinte auch, dass die Aufgabe wohl im Nachhinein wesentlich schwieriger geworden ist, als er dachte, aber ich würde trotzdem gerne wissen, wie man diese Lösen kann.
Die Lösung sollte natürlich nicht zu kompliziert sein, da ich gerade mal 2 bzw. 3 Vorlesungen in der Elektrik hatte.

dermarkus · Administrator Anmeldungsdatum: 12.01.2006 Beiträge: 14788

Ich vermute, die Aufgabe könnte sich auf die Ladungen beziehen, die die Dotierungsatome tragen.

Denn nicht umsonst heißt die Sperrschicht an einer Halbleiterdiode ja auch Raumladungszone.

Habt ihr schon gelernt, oder findest du durch Nachschlagen, welche typische Konzentration die Atome im Silizium haben, die für die p-Dotierung und für die n-Dotierung verwendet werden? (Ich habe da grob etwas im Kopf von rund

). Solch einen typischen Wert werden ihr dafür wohl verwenden sollen.

Gimel · Anmeldungsdatum: 06.11.2007 Beiträge: 96 Wohnort: Wuppertal