Halbleitertechnik

pulpago · Anmeldungsdatum: 09.10.2005 Beiträge: 28

hallo leute smile

ich habe hier zwei aufgeben bei denen ich irgendwie nicht weiterkomme

A3
Welcher spezifische Widerstand läßt sich für reines Si bzw Ge azs der Inversionsdichte und der Beweglichkeit der Ladungsträger bei 300k berechnen?

A4
Die Inversionsdichte für Ge betrage bei 300K

.
Wie groß sind die Elektronen und Löcherdichte, wenn mit 2*10^{16} Akzeptoratomen je cm^{3} dotiert worden ist

Lösungen

A3
kappa Ge=

kappa Si =

A4
pp =

np=

ich komme vorallem bei aufgabe 3 nicht weiter da fehlt mir jeglicher ansatz vielleicht kann mir jemand nen schubs geben

mfg
pulp

Hagbard · Anmeldungsdatum: 07.02.2006 Beiträge: 320 Wohnort: Augsburg

Hallo, habe gerade keine Zeit um deine geposteten Ergebnisse nachzurechnen, aber bei der 3) kann ich dir einen Tipp geben:

Der Kehrwehrt von Sigma ist gesucht. Wie du

aus der Ladungsträgerdichte und der Ladungsträgergeschwindigkeit aufbaust weißt du sicher. Die Ladungsträgerbeweglichkeit ist ja bekanntlich

Gruß