RegistrierenRegistrieren   LoginLogin   FAQFAQ    SuchenSuchen   
MOSFET - Klärungsbedarf
 
Neue Frage »
Antworten »
    Foren-Übersicht -> Elektrik
Autor Nachricht
questionposer



Anmeldungsdatum: 10.05.2008
Beiträge: 29

Beitrag questionposer Verfasst am: 13. Nov 2008 00:29    Titel: MOSFET - Klärungsbedarf Antworten mit Zitat

Hallo,
ich verstehe die Arbeitsweise des Mosfet nicht so ganz.
Man hat ja 3 "Anschlüsse".
Source Drain und Gate. Wo sitzt denn der Bulk Anschluss und für was ist dieser gut?In den Beschreibungen hab ich oft etwas von Bulk gelesen, aber nie ist dieser eingezeichnet.

Jetzt soll eine zwischen Source und Gate anliegende Spannung (die größer als ein bestimmter Schwellenwert ist) dafür sorgen das ein Stromfluss zwischen Source und Drain möglich ist.
Bei einem nMos sind doch sowohl Drain und Source ndotiert, d.h. sie haben einen Überschuss an Elektronen. Was ist jetzt daran so toll, wenn Source und Drain durch einen Kanal verbunden sind, wenn beide doch Elektronenüberschuss haben. Ich versteh das nicht.

Dann hab ich auch noch eine Frage zur Bildung des n-leitenden Kanals bzw zur Verarmung.Warum bildet sich ein solcher Kanal? Ich habe gelesen, dass irgendwie die Minoritätsträger sich an die Grenzschicht mit den Majoritätsträger rekombinieren. Dadurch werden quasi die Löcher (Defektelektronen) aus dem Bereich des Kanals verdrängt. Was passiert mit diesen Löchern dann?

ps.:wikipedia hab ich bereits bemüht...diese fragen resultieren mehr oder weniger dadurch.

ich hoffe ihr könnt mir irgendwie die Wirkungsweise eines MosFets irgendwie deutlicher machen.

vielen vielen dank schonmal
dermarkus
Administrator


Anmeldungsdatum: 12.01.2006
Beiträge: 14788

Beitrag dermarkus Verfasst am: 18. Nov 2008 22:54    Titel: Antworten mit Zitat

Was weißt du bisher schon über Halbleiter und wann sie Strom leiten können?

Tipp: Welche Ladungsträger sorgen für den Stromfluss im Halbleiter? Wann können sie im MOSFET von Source nach Drain fließen, und wann nicht?

Wie würdest du das Gate aufladen, wenn du alle frei beweglichen Elektronen von diesem Gate wegstoßen möchtest, und wie herum würdest du das Gate aufladen, wenn in der Nähe des Gates genug frei bewegliche Elektronen sitzen sollen?
questionposer



Anmeldungsdatum: 10.05.2008
Beiträge: 29

Beitrag questionposer Verfasst am: 18. Nov 2008 23:07    Titel: Antworten mit Zitat

Über Halbleiter weiss ich leider nicht viel, da es bei uns ausgelassen wurde aber doch irgendwie für Elektronik vorrausetzung sein soll...

Ein Halbleiter leitet wenn beim Bändermodell das Valenzband net leer oder voll besetzt ist. Bei dotierten Materialien ist die Majoritätsladung hauptsächlich für den Strom verantwortlich. Also bei n-dotiert die Elektronen oder bei p-dotiert die gedachten Defektelektronen bzw Löcher.
beim Mosfet können elektronen fließen, wenn sich ein N-Kanal gebildet hat.Dazu muss vorher ein Gate-Sourcespannung anliegen.

Hmm ich würde den Gate negativ aufladen, um die freibeweglichen Elektronen da wegzustoßen.aber andersrum hab ich ja auch ganz viele Elektronen dort vorahnden oder? sonst wärs ja net negativ geladen?
hmm ich weiss es net.
dermarkus
Administrator


Anmeldungsdatum: 12.01.2006
Beiträge: 14788

Beitrag dermarkus Verfasst am: 18. Nov 2008 23:09    Titel: Antworten mit Zitat

Tipp: Das Gate ist nicht leitend mit dem Halbleitermaterial verbunden, durch das der Kanal gehen soll.

Gehts dann schon?
questionposer



Anmeldungsdatum: 10.05.2008
Beiträge: 29

Beitrag questionposer Verfasst am: 18. Nov 2008 23:17    Titel: Antworten mit Zitat

grübelnd
ich weiss grad net was du meinst mit, gehts dann schon
Ich meine auch mal irgendwo gelesen zu haben das Gate mit Bulk und dem Substrat ein Kondensator bilden. Leider kann ich mir unter dem Bulk nix vorstellen, was das genau sein soll.Wenn das Gate nicht leitend mit dem Substrat verbunden ist, gehts dann vielliecht über das EFeld des Kondensators?Du siehst, ist bei mir hier mehr oder weniger rumgerate...

Wir brauchen das alles auch net wirklich zum rechnen in Elektronik, nur wüsste ich es halt gerne interessenshalber wie das wirklich funktioniert...
dermarkus
Administrator


Anmeldungsdatum: 12.01.2006
Beiträge: 14788

Beitrag dermarkus Verfasst am: 18. Nov 2008 23:26    Titel: Antworten mit Zitat

Bulk ist einfach nur der Halbleiter-Festkörper, auf dem das Substrat drauf ist.

Das mit dem Kondensator ist nichts anderes als das Anziehen beziehungsweise wegdrücken der Elektronen von Gate:

Wenn das Gate positiv geladen ist, dann saugt es Elektronen her in seine Nähe, und in dem Substrat, durch das der Kanal gehen kann, sind genügend Elektronen, damit der Kanal leitend wird.

Ist das Gate aber negativ geladen, dann schiebt es Elektronen weg vom Gate, so dass in dem Substrat keine frei beweglichen Ladungen sitzen, und damit auch der Kanal nicht leitend ist.

Ist das schon eine Erklärung, die hilft, deine Unklarheiten zu beseitigen?
Neue Frage »
Antworten »
    Foren-Übersicht -> Elektrik