 Verfasst am: 09. Jul 2021 11:49 Titel: Exemplarstreuung |
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| Exemplarstreuung bedeutet hier,daß sich die einzelnen Si-Transistoren unterscheiden bzgl. der Temperaturabhängigkeit. D.h. jeder einzelne zeichnet sich durch eine Robustheit und Empfindlichkeit aus gegenüber anderen Transistortypen,aber untereinander können die im link gezeigten Kurven (Abb 5.1. b) verschieden sein. Das liegt an den kleinen strukturellen Unterschieden(lokale Kristallqualität). Füsik-Gast. |
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| Verfasst am: 09. Jul 2021 11:26 Titel: Streuung von Transistoren. Welche gibt es? |
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| Hallo, ich habe eine Frage zur Streuung von Transistoren. Hier auf dieser Seite http://www.michael-muth.de/lectures/TempSens/chap05.html steht. "Leider findet sich gerade bei der Temperaturabhängigkeit selbst eine größere Exemplarstreuung aufgrund von Einflüssen der lokalen Kristallqualität (Rekombinationszentren) und Oberflächeneffekten auf den Sättigungsstrom." Also das Bandgap Prinzip wird verwendet um Streuungen zu eliminieren. Aber was für Streuungen sind genau gemeint? Danke |
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