 Verfasst am: 27. Mai 2021 18:15 Titel: |
|
| Das Bändermodell hilft dir auch nur bedingt weiter, um die Mechanismen zu verstehen, die in einem pn-Übergang stattfinden.
Jedenfalls ist dieses nur dreidimensional zu verstehen, in den Spaghettibildern sind meist die Richtungen entlang der kristallographischen Hauptrichtungen aufgetragen (Miller Indizes). Als Einführung in Halbleiter finde ich Semiconductor Physics and Devices von Donald A. Neamen ziemlich gut, da das Buch didaktisch super aufgebaut ist und den Leser nicht mit unnötigen Details zumüllt. Das bild ist daraus. Ansonsten kenn ich halt nur den Kitell und den Mermin. Einen Schnellsiedekurs vermag ich nicht zu geben. Da muss man schon einige Zeit investieren. |
|
| Verfasst am: 27. Mai 2021 18:01 Titel: Z-Diode und Si-Diode durch Bändermodell |
|
| Meine Frage: Hey Ich muss für ein Protokoll die Bändermodelle verschiedener Dioden darstellen. Ich hab da einige Probleme: Ich hab beispielsweise keine Ahnung wie ich das Bändermodell der Si-Diode darstellen soll. Eigentlich basiert die Diode ja darauf, dass Ladungsträger aus dem Valenzband ins Leitungsband übergehen, also quasi exakt wie bei den LED´s, nur dass bei dem Übergang der Ladungsträger aus dem Leitungsband in das Valenzband kein Licht emittiert wird oder gibt es da noch einen weiteren Unterschied? Zudem noch bei der Z-Diode: Die Durchbruchspannung ist oberhalb von 5V das heißt der Lawinen-Effekt dominiert. Meine Ideen: Ich habe absolut keinen Ansatz wie ich dieses Bändermodell zeichnen soll. Bei dem Lawinen-Effekt werden ja freie Ladungsträger durch das entstehende elektrische Feld beschleunigt, sodass diese gebundene Ladungsträger anregen können, was einer Anhebung ins Valenzband entspricht und folglich der Stromfluss zunimmt. Ich hätte jetzt wieder das identische Bändermodell wie bei Silizium und den LED´s gezeichnet, nur dass die Pole der Spannungen vertauscht sind. Wo gibt es Unterschiede? Danke für jede Antwort! Lg |
|