 Verfasst am: 02. März 2021 11:26 Titel: Widerstand eines homogen/inhomogen dotierten Halbleiters |
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| Hallo allerseits, Zur Klausurvorbereitung wurde uns folgende Denkaufgabe gegeben: 1. Betrachtet man ausschließlich Elektronen, wie groß ist der elektrische Widerstand eines dotierten Halbleiters der Länge l, Weite w, und Tiefe d parallel zur Stromflussrichtung? 2. In Planartechnologie hergestellte HL sind meist in der Tiefe vertikal zur Oberfläche inhomogen dotiert. Geben sie aus der Stromgleichung einen Schichtwiderstand Rs an, der mit 1/w Skaliert, um einen Widerstandswert in 3. Welche Dimension hat Rs? Meine bisherigen Überlegungen: (1) mit (2) Durch die Dotierung steigt die Anzahl der Elektronen, weshalb nach (1) die Stromdichte bzw. geteilt durch das Volumen der Strom steigt. Folglich steigt auch der Leitwert, bzw. der Widerstand sinkt (Defektelektronen werden hier ja nicht beachtet). Kann ich den Widerstand qualitativ noch näher bestimmen? Weitere Angaben habe ich nicht. Wie verhält sich der Widerstand im inhomogen dotierten? Eigentlich kann ich ja nur angeben, dass er von der Tiefe abhängt? Bin über jeden neuen Input dankbar. Gruß[/u] |
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