 Verfasst am: 27. Mai 2020 21:16 Titel: |
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| Hallo Ralf, wenn Du R_L änderst, ändert sich erst mal der Spannungsabfall über R_L. Dabei nehme ich an, daß I_D vorerst unverändert bleibt. Auf Grund des veränderten Spannungsabfalls wird U_DS einen anderen Wert bekommen. Du müßtest jetzt mal rausbekommen, ob die gezeigte Kennlinie I_S= f(U_GS) sich verändert, wenn sich U_DS sich ändert. Wenn das der Fall ist, muß Du I_S neu bestimmen, dann wieder U_DS und wieder I_S, ... solange, bis die Werte konsistent sind. Wenn sich die Kennlinie nicht wesentlich ändert, behält I_S seinen alten Wert, und am Ende hat sich nur U_DS geändert. Beste Grüße |
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| Verfasst am: 27. Mai 2020 12:37 Titel: NMOS Transistor: Strom ID bei Veränderung von Widerstand RL |
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| Meine Frage: Ich habe folgende Schaltung: Willkommen im Physikerboard! Ich habe das Bild aus dem externen Link als Anhang eingefügt. Bitte verwende keine solchen Links, die sind irgendwann ungültig. Viel Grüße Steffen Meine Frage bezieht sich nur auf Aufgabenteil f ung h. Was verändert sich denn alles, wenn sich RL verändert? Verändert sich dabei auch ID oder IS und wrm? Meine Ideen: Folgende Werte habe ich schon in den Aufgabenteilen davor berechnet. RS=50 Ohm Vth=2V Ugs=4V Us=1V |
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