 Verfasst am: 08. Feb 2019 11:19 Titel: Dotierung von Verbindungshalbleitern |
|
| Meine Frage: Bei elementaren Halbleitern (z.B. Silizium) ist klar, welche Dotieratome verwendet werden können, um eine p- oder n-Dotierung zu erhalten, weil Silizium in der 4. Hauptgruppe ist und Bor z.B. in der 3. und Phosphor z.B. in der 5. Wie sieht das Ganze bei Verbindungshalbleitern aus? Beispiel: GaAs. Es besteht aus Atomen der 3. und 5. Hauptgruppe. Welche Dotieratome sind hier möglich, um eine p- oder n-Dotierung zu erhalten? Meine Ideen: Kann GaAs effektiv als Material der 4. Hauptgruppe behandelt werden, sodass ein Dotieratom der 3. Hauptgruppe eine p-Dotierung hervorrufen würde? Falls man das so machen kann, wie sieht das bei Halbleitern mit noch mehr Atomen aus (InGaAs z.B.)? Kann man immer das arithmetische Mittel der Hauptgruppen bilden und sagen, dass Dotieratome mit kleinerer Hauptgruppe zur p-Dotierung führen? Weiteres Beispiel: Bei CdTe habe ich gelesen, dass sich besonders Atome der 3. und 7. Hauptgruppe zur Dotierung eignen. Das würde meinem Vorschlag oben widersprechen. |
|
