 Verfasst am: 29. Jun 2015 00:33 Titel: Danke ! |
|
| Alles klar, vielen Dank für die Antworten! | |
| Verfasst am: 20. Jun 2015 12:20 Titel: |
|
| Beim Durchschalten fällt zwischen Kollektor und Emitter immer noch eine Sättigungsspannung ab (sog. U_CE_sat). Die liegt bei bipolaren Siliziumtransistoren üblicherweise bei ca. 200mV. | |
| Verfasst am: 20. Jun 2015 09:57 Titel: Danke ! |
|
| Weil es quasi eine Diode ist oder ? Aber sonst ist mein Ansatz richtig ? Oben vom Collectorausgend befindet sich auch eine Diode oder ? da fallen dann nochmals 0,7 Volt ab.Also UCB (Kollektorbasisspannung) auch = 0,7Volt? Vielen Dank! |
|
| Verfasst am: 20. Jun 2015 09:19 Titel: |
|
| UBE kannst du als ca. 0.6-0.7V annehmen. | |
| Verfasst am: 19. Jun 2015 23:50 Titel: Aufgabe |
|
| Die Aufgabe | |
| Verfasst am: 19. Jun 2015 23:48 Titel: Widerstand an der Basis eines Transistors |
|
| Meine Frage: Hallo liebe Community, die Aufgabe habe ich unten angehängt, zu welcher ich eine Frage hätte. Vielen Dank für eure Hilfe! Beste Grüße Knorke Meine Ideen: In der Aufgabe muss man ja R1 bestimmen. Ich würde wie folgt vorgehen: damit habe ich den Basisstrom gegeben. So und jetzt würde ich nach ohmschen Gesetz Meine Fragen: Ist der Ansatz so richtig? Wie bekomme ich in diesem Falle Danke! |
|