 Verfasst am: 27. Mai 2015 12:04 Titel: Offenwahrscheinlichkeit von Ionenkanälen |
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Dies ist der Vortext zu meiner Aufgabe: Spannungsabhängige Ionenkanäle in Zellmembranen besitzen einen so genannten Spannungssensor, d.h. eine bewegliche Proteindomäne mit einer Festladung Q = z·e, die abhängig von der elektrischen Feldstärke E über die Zellmembran bewegt werden kann. Abhängig von der Lage des Spannungssensors ist der Ionenkanal offen oder geschlossen. Dieses Phänomen nennt man ?Gating? (Bezanilla, F. and E. Perozo. (2003) The voltage Sensor and the gate in ion channels. In: Adv. in Prot. Chem. 63. Nun hänge ich allerdings an der Lösung folgender Teilaufgabe: Die Transmembranspannung Vm kann experimentell verändert werden und damit auch die Lage des Spannungssensors. Entwickeln Sie die Gesetzmäßigkeit, mit der die Offenwahrscheinlichkeit des Ionenkanals in Abhängigkeit der äußeren Membran- spannung Vm berechnet werden kann. Meine Ideen: Zur Bestimmung von Wahrscheinlichkeiten haben wir in diesen Zusammenhängen meist die Boltzmannsche Wahrscheinlichkeitsverteilung verwendet. Auch die Nernst- Gleichung haben wir durchgenommen nach welcher allerdings weis ich nicht, wie man dies nun alles zusammenfügen muss |
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