 Verfasst am: 25. Apr 2015 13:46 Titel: |
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| k_b ist die Boltzmannkonstante, T deine Temperatur Teilst du 26 meV (Energie!!) durch q (Ladung), bekommst du eine Spannung. 26meV ist der Wert für kb*T bei Zimmertemperatur. Die Spannung verhindert das weitere Rekombienieren, da das elektrische Feld ja entgegenwirkt und verhindert, dass weitere Teilchen rüberwandern. Durch die Diffusion entsteht ja ein Ionengitter. In der n-schicht befinden sich dann postitive Ionen (da paar freie Elektronen rübergewandert sind), in der p Schicht dann negative. Das Feld zeigt dann von n-Schicht zu p-Schicht und die Kraft verhindert dass die Teilchechen weiter diffundieren (rüberwandern). Diese Spannung entsteht jedoch aufgrund des Diffusionsstromes der ja zuerst eintritt, wenn man eine p und eine n Schicht zusammenführt. |
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| Verfasst am: 20. Apr 2015 22:19 Titel: Diffusionsprozess bei n-p übergang |
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| ich habe hier einen text über den diffusionsprozess bei einem n-p übergang.dabei steht der diffusionsprozess ist proportional zur temperatur und hat eine charakeristische energie von k_B*T=26meV Ist damit die diffsuinsspannung gemeint? [quote=wikipedia]Durch diese Ladungsträgerbewegung (Diffusionsstrom) bildet sich zwischen diesen Raumladungen im Inneren des Kristalls ein elektrisches Gegenfeld aus, das der weiteren Diffusion von beweglichen Ladungsträgern entgegenwirkt, da es einen entgegengesetzten Driftstrom erzeugt[/quote] irgendwo anders hab ich gelesen
Was verhindert nun das weitere rekombinieren? die spannung oder der strom? und warum baut sich ein gegenfeld auf? die raumladungszone ist doch neutral oder?[/quote] |
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