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GvC	Verfasst am: 09. Nov 2012 15:15    Titel: luckyluca3 hat Folgendes geschrieben: Müssten denn eigentlich im letzten Satz diese 0,7 V nicht in Elektronenvolt angegeben werden? Nein. Denn: luckyluca3 hat Folgendes geschrieben: Bei einer bestimmten Höhe dieses Potentialgefälles kommt die Rekombination der Löcher und Elektronen zum Erliegen, Elektronenvolt (eV) ist eine Energieeinheit, hier geht es jedoch um ein "Potentialgefälle", also um eine Spannung. Die Einheit der Spannung ist Volt (V).
luckyluca3	Verfasst am: 09. Nov 2012 13:46    Titel: Frage zum pn Übergang (Halbleiter) Meine Frage: auf der Homepage http://www.halbleiter.org/grundlagen/p-n/ zum pn Übergang zu Halbleitern steht: "Die Gebiete in Nähe der Grenzschicht sind auf Grund der abgewanderten freien Ladungsträger positiv (n-Kristall) bzw. negativ (p-Kristall) geladen. Je mehr Ladungsträger rekombinieren, desto größer wird diese Verarmungs- oder Raumladungszone (RLZ) und damit die Spannungsdifferenz von n- zu p-Kristall. Bei einer bestimmten Höhe dieses Potentialgefälles kommt die Rekombination der Löcher und Elektronen zum Erliegen, die Ladungsträger können das elektrische Feld nicht mehr überwinden. Bei Silicium liegt diese Grenze bei etwa 0,7 V (vgl. Bändermodell eines p-n-Übergangs)." Müssten denn eigentlich im letzten Satz diese 0,7 V nicht in Elektronenvolt angegeben werden? Vielen Dank im Vorraus Meine Ideen: .

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