| Webo |
Verfasst am: 30. Aug 2012 20:55 Titel: Besetzung Leitungs/Valenzband in Halbleiter |
|
Hallo, ich habe ein Verständnisproblem bei der Berechnung der Besetzung des Leitungs- bzw Valenzbandes in einem Halbleiter (in diesem Fall Silizium).
Gegeben:
Nun soll die Besetzung des Leitungsbandes von Silizium berechnet werden, wenn die Fermienergie
- an der Valenzbandkante
- Mitte Bandgap
- Leitungsbandkante liegt
Soweit so gut,
hab ich mir
genommen und wollte einsetzen.
Nach meinem Verständnis hätte ich jetzt für die verschiedenen Bereiche genommen:
- Fermieenergie an Valenzbank = 1,18eV
- Fermieenergie in der Mitte = 1,18eV / 2 = 0,59
- Fermieenergie an Leitungsband = 0eV
In der Formel in der Lösung zu dieser Aufgabe ist allerdings -1,18, bzw -0,59 angegeben
Wie ich da mit draufkommen soll ist genau meine Frage - denn das Verständnis bräuchte ich auch noch für die Besetzung am Valenzbank, wo da in der Formel steht!
Ich würde mich riesig freuen, wenn mir da jemand helfen könnte. |
|