Webo |
Verfasst am: 30. Aug 2012 20:55 Titel: Besetzung Leitungs/Valenzband in Halbleiter |
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Hallo, ich habe ein Verständnisproblem bei der Berechnung der Besetzung des Leitungs- bzw Valenzbandes in einem Halbleiter (in diesem Fall Silizium). Gegeben: Nun soll die Besetzung des Leitungsbandes von Silizium berechnet werden, wenn die Fermienergie - an der Valenzbandkante - Mitte Bandgap - Leitungsbandkante liegt Soweit so gut, hab ich mir genommen und wollte einsetzen. Nach meinem Verständnis hätte ich jetzt für die verschiedenen Bereiche genommen: - Fermieenergie an Valenzbank = 1,18eV - Fermieenergie in der Mitte = 1,18eV / 2 = 0,59 - Fermieenergie an Leitungsband = 0eV In der Formel in der Lösung zu dieser Aufgabe ist allerdings -1,18, bzw -0,59 angegeben Wie ich da mit draufkommen soll ist genau meine Frage - denn das Verständnis bräuchte ich auch noch für die Besetzung am Valenzbank, wo da in der Formel steht! Ich würde mich riesig freuen, wenn mir da jemand helfen könnte. |
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