| zward |
Verfasst am: 01. Dez 2011 12:35 Titel: Bandstruktur von Silizium |
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Hallo,
ich habe mal eine frage zur der Bandstruktur von Silizium. Übergänge sollen bei Energien von 1,1; 3,4 und 4,2 eV möglich sein. Der Übergang mit 1,1eV ist ein indirekter und die anderen sollen direkte sein. Meine Frage ist wie kann das sein, gibt es mehrere Valenz und Leitungsbänder an einen Wellenvektor? Ich habe in mehreren Büchern zur Halbleiterphysik leider nichts zu diesem Verhalten gefunden. Laut der Abb. scheint die Kristallfläche eine Rolle zu spielen.
Ich würde mich über eine kurze Erklärung oder einen Hinweis auf eine entsprechende Quelle sehr freuen.
Gruß zward |
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