 Verfasst am: 08. Jun 2005 22:09 Titel: |
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hmmm gut, ich glaube, ich habe es verstanden! Danke vielmals  |
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| Verfasst am: 08. Jun 2005 20:16 Titel: |
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| Deine Eklärung ist schon ganz OK.
In der Sperrschicht, auch Verarmungszone genannt, ist ein Bereich in dem Elektronen und Löcher rekombiniert sind, der also frei von Majoritätsladungen ist. Durch die zurückgebliebenen Donator- und Akzeptorionenrümpfe entsteht ein elektrisches Feld, welches der Ladungsträgerbewegung in Sperrrichtung entgegenwirkt. Es fließt ohne angelegtes Feld in Durchlaßrichtung kein Strom, weil die Elektronen/Löcher durch ihre räumliche Verteilung einen statistischen Drift entgegen der Feldrichtung haben. Ohne Spannung kompensieren sich die Effekte Feld und Drift genau. |
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| Verfasst am: 08. Jun 2005 17:46 Titel: Was im Inneren einer Diode geschieht |
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Hey ihr!
Brauch mal wieder Hilfe, wär nett, wenn ihr mir helfen könnt  ich hänge gerade bei der 2. von 5 Aufgaben (das kann ja noch dauern). Frage:
2.) Was versteht man unter der Sperrschicht einer Diode? Wie entsteht sie? (Im Beispiel ist das Silicium wie folgt dotiert: n-dotiert mit Phosphor als Donator; p-dotiert mit Bor als Akzeptor...) Bitte um Kontrolle und Hilfestellung! 2.) In der Sperrschicht einer Diode findet kein (bzw. kaum) Elektronenfluss statt (lediglich geringer Eigenleitung). Bei Anschluss an den Strom werden die Elektronen zum Pluspol gezogen, die Löcher des p-dotierten Silicium scheinen in Richtung des Minuspols zu wandern (Elektronen werden abgestoßen). Somit ist das n-dotierte Silicium positiv geladen (Phosphor hat 1 Außenelektron zu viel, durch Abgabe positiv) und das p-dotierte Silicium negativ geladen (da... 
ab da weiß ich nicht mehr weiter! Verzweifle hier gerade, ich verstehe diese Erklärung im Physikbuch nicht so richtig 
 bitte helft mir
LG Ari |
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