| needsomehelphere |
Verfasst am: 25. Apr 2010 17:59 Titel: Elektronenbeweglichkeit bei n-dotiertem Si berechnen |
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Meine Frage: Es soll die Elektronenbeweglichkeit für n-dotiertes Silizium bei T=300K und dem spezifischen Widerstand von 15 {Ohm*cm} berechnet werden.
Meine Ideen: Näherungsweise gilt:
1/? = e * n * µn
Jetzt habe ich aber immer noch 2 unbekannte, die Elektronendichte n und die Elektronenbeweglichkeit µn.
Hier komme ich einfach nicht weiter, die Aufgabe scheint mir unterdefiniert. |
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