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dermarkus
Verfasst am: 12. Jun 2008 19:11
Titel:
Ja, ich glaube, das verstehst du richtig so. Natürlich spricht man in Festkörpern oft nicht ganz genau so von Energieniveaus wie in Atomen, weil in Festkörpern statt scharfen Energieniveaus breite Energiebänder möglich sind (bestimmt hast du zum Beispiel schon mal etwas von Valenzband oder von Leitungsband gehört), und in Festkörpern kann die Lage der Energieniveaus bzw. -bänder natürlich je nach Position im Festkörper variieren.
andreboleole
Verfasst am: 12. Jun 2008 18:28
Titel:
Okay, gut danke!
Verhält es sich denn im Energieniveauschema genauso als wenn ein Elektron von einer zu einer anderen Bahn übergeht also gilt auch die Formel E = Em - En?
dermarkus
Verfasst am: 12. Jun 2008 16:26
Titel: Re: Rekombination bei LEDs / Emission von Photonen
andreboleole hat Folgendes geschrieben:
Kann man sagen, dass ein Atom zu wenig/zu viel hat sich im angeregten Zustand befindet und durch die Rekombination mit einem Elektron in den Grundzustand zurückkehrt?
Ja, so in etwa meinst du da das richtige.
Ich würde allerdings hier nicht von einem "angeregten bzw. Grundzustand des Atoms" sprechen, sondern von (angeregten oder weniger angeregten) Elektronenzuständen in dem Halbleiter.
Denn wir haben es hier ja nicht mit einem einzelnen Atom zu tun, innerhalb dessen ein Elektron von Bahn zu Bahn hüpft, sondern mit einer Stelle in einem Halbleiter-Festkörper, an der entweder ein Elektron fehlt oder ein Elektron hinzugekommen ist.
andreboleole
Verfasst am: 12. Jun 2008 15:27
Titel: Rekombination bei LEDs / Emission von Photonen
Hallo,
normalerweise emittieren Atome Photone beim Übergang eines Elektrons von einer Bahn hoher Energie zu einer Bahn niedriger Energie. Dazu muss sich das Atom in einem angeregten Zustand befinden, der sich infolge einer Bestrahlung mit Licht oder eines Elektronenstoßes ergeben hat (es wird Energie aufgenommen/absorbiert). Nach dem Entsenden der Photone befindet sich das Atom wieder im Grundzustand.
Diese Beschreibung ist soweit richtig oder?
Nun aber meine eig. Frage und zwar wie Verhält es sich bei der Rekombination von Ladungsträgern in der P-N-Sperrschicht eines Halbleiters?
Auf der p-dotierten Seite haben Atome ein Außenelektron zu wenig (=Löcher), auf der n-dotierten Seite haben Atome ein Außenelektron zu wenig (=Elektronen). Bei Anlegen einer Spannung in Flussrichtung rekombinieren die Eletronen mit den Löchern( d.h. sie wandern zu den Löchern?) Ist das soweit richtig?
Aber wie geht es nun weiter? Es wechselt ja kein Elektron die Bahn innerhalb eines Atoms, sondern ein Eletron dringt "von außen" ins Atom ein. Kann man sagen, dass ein Atom zu wenig/zu viel hat sich im angeregten Zustand befindet und durch die Rekombination mit einem Elektron in den Grundzustand zurückkehrt?
Ich bitte um eine schnelle Antwort, da wir morgen u.a. darum eine Klausur schreiben. Vielen Dank schonmal!!