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[quote="Bebbo Erbse"]Hallo! Ich muss bis morgen einen Vortrag über bipolare Transistoren ausarbeiten, wobei ich beim lesen auf eine Frage gestoßen bin. Das ganze soll am Beispiel eines npn Transistors geschehen. Dabei soll nun die Emitter-Basis Diode in Durchlassrichtung geschaltet sein, sodass eben alles erstmal funktionsfähig wird. Nun die erste Frage... Muss ich bei der Bases-Emitter-Spannung nicht erst einen bestimmten Schwellwert erreichen (nämlich den Spannungswert der zwischen der EB-Sperrschicht herrscht, da ja dort wie das eben in der Diode der Fall ist, negative Ionen in der Basis und positive Ionen im Emitter ein Spannungsfeld erzeugen)... Also müsste man doch erst eine Minimalspannung im Basis-Emitterstromkreis erzeugen um diese entgegengesetzte Spannung zu überwinden, oder? Und dann noch eine Frage... in meinem Lehrbuch steht, dass die Elektronen des Emitters zum Kollektor deshalb beschleunigt werden, weil sie von den positiven Ionen in der Sperrschicht des Kollektors angezogen und beschleunigt werden. Ich dachte bis jetzt, dass die Elektronen aufgrund der angelegten Spannung im Steuerstromkreis beschleunigt werden und die Elektronen die zu stark beschleunigt werden eben "die Kurve nicht kriegen" und die Basis-Kollektor-Sperrschicht durchbrechen. Was stimmt nun genau?[/quote]
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schnudl
Verfasst am: 03. Jun 2007 19:23
Titel:
Bebbo Erbse hat Folgendes geschrieben:
Nun ist es ja so das ein Transistor im Wechselstromkreis in Verbindung mit einem Kondensator eine Wechselspannung in eine Gleichspannugn umwandeln kann.
welche schaltung soll das sein ? eine wechselspannung kann mit einem gleichrichter in gleichspannung umgewandelt werden, dazu braucht man aber keinen transistor.
Bebbo Erbse hat Folgendes geschrieben:
ich möchte gleich mit einer weiteren Frage anschließen. Gibt es einen festgelegten Verstärkungsbereich für Transistoren? Also z.B. von 0,65 bis 0,75 V oder so?
Was meinst Du damit ? Die Verstärkung wird nicht in Volt angegeben. Die Spannung zwischen Basis und Emitter kann in guter Näherung als konstant 0.7V angenommen werden. In der Tat stellt sich dieser Wert immer ein, wenn man eine gute Arbeitspunkteinstellung mit Gegenkopplung verwendet.,
Bebbo Erbse hat Folgendes geschrieben:
Und zu der Steuerkennlinie: Theoretisch müsste diese doch krumm verlaufen, wobei sie erst einen hohen Anstieg hat (B) und dann sich einem Anstieg von 1 nähert (außerhalb des Verstärkungsbereiches)...
Siehe
Kennlinien
Bebbo Erbse
Verfasst am: 03. Jun 2007 17:21
Titel:
Ah super! Danke für die Antwort und den guten Hinweis...
Das zweite Problem hat sich nun auch geklärt... Im gewissen Sinn trifft beides zu. Erst müssen die Elektronen von der EB-Spannung beschleunigt werden um in die CB-Sperrschicht zu kommen und von da aus unterliegen sie dann der Krafteinwirkung und Beschleunigung des elektrischen Feldes innerhalb der CB-Sperrschicht.
Nun ist es ja so das ein Transistor im Wechselstromkreis in Verbindung mit einem Kondensator eine Wechselspannung in eine Gleichspannugn umwandeln kann. Dazu würde ich mich gern etwas informieren. Weiß jemand wie derser Vorgang im Detail lautet oder wie die Schaltung heißt?
EDIT: ich möchte gleich mit einer weiteren Frage anschließen. Gibt es einen festgelegten Verstärkungsbereich für Transistoren? Also z.B. von 0,65 bis 0,75 V oder so?
Und zu der Steuerkennlinie: Theoretisch müsste diese doch krumm verlaufen, wobei sie erst einen hohen Anstieg hat (B) und dann sich einem Anstieg von 1 nähert (außerhalb des Verstärkungsbereiches)...
schnudl
Verfasst am: 03. Jun 2007 16:31
Titel:
Zur ersten Frage:
Ja, du musst natürlich erst eine gewisse Schwellspannung überschreiten, damit überhaupt ein Basisstrom fliesst. Die Basis-Emitter Strecke ist zu sehen wie eine Diode, und wird daher erst bei etwa 0.65V wirklich leitend.
Dimensionieren wirst Du die Schaltung aber nach dem erforderlichen Basisstrom I(B) und nicht nach der Spannung U(BE) !
Bebbo Erbse
Verfasst am: 03. Jun 2007 14:07
Titel: Wirkungsweise vom Transistor
Hallo!
Ich muss bis morgen einen Vortrag über bipolare Transistoren ausarbeiten, wobei ich beim lesen auf eine Frage gestoßen bin.
Das ganze soll am Beispiel eines npn Transistors geschehen. Dabei soll nun die Emitter-Basis Diode in Durchlassrichtung geschaltet sein, sodass eben alles erstmal funktionsfähig wird. Nun die erste Frage... Muss ich bei der Bases-Emitter-Spannung nicht erst einen bestimmten Schwellwert erreichen (nämlich den Spannungswert der zwischen der EB-Sperrschicht herrscht, da ja dort wie das eben in der Diode der Fall ist, negative Ionen in der Basis und positive Ionen im Emitter ein Spannungsfeld erzeugen)... Also müsste man doch erst eine Minimalspannung im Basis-Emitterstromkreis erzeugen um diese entgegengesetzte Spannung zu überwinden, oder?
Und dann noch eine Frage... in meinem Lehrbuch steht, dass die Elektronen des Emitters zum Kollektor deshalb beschleunigt werden, weil sie von den positiven Ionen in der Sperrschicht des Kollektors angezogen und beschleunigt werden.
Ich dachte bis jetzt, dass die Elektronen aufgrund der angelegten Spannung im Steuerstromkreis beschleunigt werden und die Elektronen die zu stark beschleunigt werden eben "die Kurve nicht kriegen" und die Basis-Kollektor-Sperrschicht durchbrechen. Was stimmt nun genau?