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[quote="Maburger"]Hallo Steffen, vielen Dank für Deine sehr hilfreiche Antwort, da hast Du mir sehr geholfen! Ist ja lustig, daß Du auch aus dem Marburger Land kommst :) Viele Grüße Elmar[/quote]
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Maburger
Verfasst am: 26. Aug 2025 06:46
Titel:
Hallo Steffen,
vielen Dank für Deine sehr hilfreiche Antwort, da hast Du mir sehr geholfen!
Ist ja lustig, daß Du auch aus dem Marburger Land kommst
Viele Grüße
Elmar
Steffen Bühler
Verfasst am: 26. Aug 2025 04:44
Titel:
Willkommen im Physikerboard!
Selbst wenn man Deiner Logik folgt, wären es nicht 1,4 Volt, denn die beiden Dioden sind nicht hintereinander geschaltet, sondern ihre Anoden liegen zusammen. So gesehen dürfte somit gar keine Kollektor-Emitter-Spannung vorhanden sein.
Das Ganze ist also in der Tat komplizierter. Ein idealer Transistor ist wie ein Relais. Ohne Ansteuerung fällt dann eben die gesamte Betriebsspannung an CE ab, mit Ansteuerung gar nichts, also 0 Volt. Typischerweise verliert man allerdings etwa 0,2 Volt.
Viele Grüße in meine alte Heimat
Steffen
Marburger
Verfasst am: 25. Aug 2025 18:01
Titel: Spannungen am NPN-Transistor
Meine Frage:
Hallo zusammen,
damit ein pn-Übergang leitend wird, muß die an ihm angelegte Spannung gleich der Durchlaßspannung sein (bei Silizium ca. 0,7 Volt)
Deshalb leitet eine Silizium-Diode auch erst, wenn die angelegte Spannung 0,7 Volt beträgt
In einer Aufbauzeichnung eines NPN-Transistors habe ich gesehen, daß der Transistor 2 pn-Übergänge hat: Bei der Grenzschicht vom Emitter zur Basis und bei der Grenzschicht von der Basis zum Kollektor
Dann müßte beim leitenden Transistor mit seinen 2 Grenzschichten die Spannung zwischen Emitter und Kollektor doch doppelt so groß sein wie bei einer Diode mit nur einer Grenzschicht, also 2 * 0,7 V = 1,4 V
Im Lehrtext zum NPN-Transistor steht aber, daß die Spannung zwischen Emitter und Kollektor nur ca. 0,6 Volt beträgt
Das verstehe ich nicht. Könnt ihr mir bitte einen Tipp geben, wo mein Denkfehler ist?
Meine Ideen:
Ich kann mir den scheinbaren Widerspruch nur so erklären:
Evtl ist die Schichtenfolge beim NPN-Transistor gar nicht so aufgebaut, wie es in der schematischen Darstellung des Lehrtextes gezeichnet wurde, nämlich 2 n-dotierte Schichten mit einer p-dotierten Schicht dazwischen?
Vielleicht ist der tatsächliche Aufbau komplizierter, so daß sich die Einzelspannungen an den Grenzschichten nicht zur Kollektor-Emitter-Spannung addieren?
Viele Grüße aus Marburg