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[quote="Myon"]Zu 1: Deine Formel gilt schon für die intrinsische Leitfähigkeit, wobei das E im Argument der Exponentialfunktion die Energielücke ist und vor kT eigentlich noch ein Faktor 2 stehen sollte. Der Wiki-Artikel bezieht sich allgemein auf die Leitfähigkeit bei Einbringen von Fremdatomen in Festkörper, nicht primär auf Halbleiter. Bei tiefen Temperaturen gilt aber auch in der Störstellenreserve eine näherungsweise exponentielle Temperaturabhängigkeit der Leitfähigkeit. Denn im Gegensatz zur intrinsischen Leitfähigkeit ist wegen [latex](E_\mathrm{F}-E_\mathrm{D})\approx k_\mathrm{B}T[/latex] bzw. [latex](E_\mathrm{A}-E_\mathrm{F})\approx k_\mathrm{B}T[/latex] schon bei Raumtemperatur ein Grossteil der Donator- bzw. Akzeptoratome ionisiert, d.h. es sind bewegliche Ladungsträger im Leitungs-/Valenzband vorhanden. Bei der intrinsischen Leitfähigkeit steht dagegen die Energielücke im Argument der Exponentialfunktion, die von der Grössenordnung eV und damit erheblich grösser ist als kT bei Raumtemperatur. Die intrinsische Leitfähigkeit wird deshalb erst bei höheren Temperaturen relevant. Zu 2: Ja, die Leitfähigkeit ist der Kehrwert des spezifischen Widerstandes.[/quote]
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aaabbb
Verfasst am: 30. Mai 2017 16:02
Titel:
Ok, ich denke der Faktor würde uns dann angegeben werden.
Hergeleitet haben wir die Formel nämlich nicht.
Danke
Myon
Verfasst am: 30. Mai 2017 15:52
Titel:
Für was das "k" steht, habe ich mich auch gefragt. Bei der Herleitung der intrinsischen Leitfähigkeit ergibt sich
mit
was dem
entsprechen müsste. Die Beweglichkeiten
nehmen mit der Temperatur ab, sodass B insgesamt nur schwach temperaturabhängig ist.
aaabbb
Verfasst am: 30. Mai 2017 15:38
Titel:
Dann werde ich ihn nochmal fragen.
Noch kurz eine Frage:
Für was steht das Sigma_k in der Formel im Bild?
Myon
Verfasst am: 30. Mai 2017 15:31
Titel:
Mit dem Faktor 2 ist es in der Festkörperphysik ja so eine Sache. Z.B. bei der Zustandsdichte der Elektronen wird die doppelte Besetzung infolge der möglichen Spineinstellungen in manchen Büchern berücksichtigt, in anderen nicht.
Hier aber ergibt sich bei der Herleitung
und für die intrinsiche Ladungsträgerdichte gilt
,
sodass da bei der Leitfähigkeit eigentlich schon ein Faktor 1/2 im Exponent stehen sollte.
aaabbb
Verfasst am: 30. Mai 2017 15:01
Titel:
Ok, Danke erstmal.
Myon hat Folgendes geschrieben:
Z... und vor kT eigentlich noch ein Faktor 2 stehen sollte.
Gut, dass du das auch erwähnt hast. Habe nämlich bereits gemert, dass da eine 2 fehlen könnte (durch Vergleich zu einer Grafik aus einem Buch).
Habe meinen Prof darauf auch bereits angesprochen und er hat gemeint, dass die 2 falsch wäre und seine Formel (also ohne die 2) stimmen würde.
Myon
Verfasst am: 30. Mai 2017 13:41
Titel:
Zu 1: Deine Formel gilt schon für die intrinsische Leitfähigkeit, wobei das E im Argument der Exponentialfunktion die Energielücke ist und vor kT eigentlich noch ein Faktor 2 stehen sollte. Der Wiki-Artikel bezieht sich allgemein auf die Leitfähigkeit bei Einbringen von Fremdatomen in Festkörper, nicht primär auf Halbleiter.
Bei tiefen Temperaturen gilt aber auch in der Störstellenreserve eine näherungsweise exponentielle Temperaturabhängigkeit der Leitfähigkeit. Denn im Gegensatz zur intrinsischen Leitfähigkeit ist wegen
bzw.
schon bei Raumtemperatur ein Grossteil der Donator- bzw. Akzeptoratome ionisiert, d.h. es sind bewegliche Ladungsträger im Leitungs-/Valenzband vorhanden.
Bei der intrinsischen Leitfähigkeit steht dagegen die Energielücke im Argument der Exponentialfunktion, die von der Grössenordnung eV und damit erheblich grösser ist als kT bei Raumtemperatur. Die intrinsische Leitfähigkeit wird deshalb erst bei höheren Temperaturen relevant.
Zu 2: Ja, die Leitfähigkeit ist der Kehrwert des spezifischen Widerstandes.
aaabbb
Verfasst am: 30. Mai 2017 09:44
Titel: Leitfähigkeit Halbleiter Formel
Hallo,
ich habe die Formel im Bild für die Leitfähigkeit im Eigenleitungsbereich (d.h. intrinsisch) eines Halbleiters gegeben.
Dazu hätte ich zwei Frage:
1. Hier:
https://de.wikipedia.org/wiki/Extrinsische_Leitf%C3%A4higkeit
steht die Formel gelte für den extrinsischen Bereich. Was stimmt nun?
2. Wenn ich nun den Widerstand eines Langen Drahtes aus einem Halbleitermaterial berechnen und diese Formel verwenden will:
R=(spezifischer Widerstand)*(Länge Draht)/(Querschnittsfläche)
Wie komme ich nun aber von der mit der Formel im Bild berechneten Leitfähigkeit auf den spezifischen Widerstand? Muss ich einfach den Kehrwert nehmen?