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[quote="Knorke22222"]Die Aufgabe[/quote]
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Knorke22222
Verfasst am: 29. Jun 2015 00:33
Titel: Danke !
Alles klar, vielen Dank für die Antworten!
svloga
Verfasst am: 20. Jun 2015 12:20
Titel:
Beim Durchschalten fällt zwischen Kollektor und Emitter immer noch eine Sättigungsspannung ab (sog. U_CE_sat). Die liegt bei bipolaren Siliziumtransistoren üblicherweise bei ca. 200mV.
Knorke22222
Verfasst am: 20. Jun 2015 09:57
Titel: Danke !
Weil es quasi eine Diode ist oder ?
Aber sonst ist mein Ansatz richtig ?
Oben vom Collectorausgend befindet sich auch eine Diode oder ? da fallen dann nochmals 0,7 Volt ab.Also UCB (Kollektorbasisspannung) auch = 0,7Volt?
Vielen Dank!
schnudl
Verfasst am: 20. Jun 2015 09:19
Titel:
UBE kannst du als ca. 0.6-0.7V annehmen.
Knorke22222
Verfasst am: 19. Jun 2015 23:50
Titel: Aufgabe
Die Aufgabe
Knorke22222
Verfasst am: 19. Jun 2015 23:48
Titel: Widerstand an der Basis eines Transistors
Meine Frage:
Hallo liebe Community,
die Aufgabe habe ich unten angehängt, zu welcher ich eine Frage hätte.
Vielen Dank für eure Hilfe!
Beste Grüße
Knorke
Meine Ideen:
In der Aufgabe muss man ja R1 bestimmen.
Ich würde wie folgt vorgehen:
damit habe ich den Basisstrom gegeben.
So und jetzt würde ich nach ohmschen Gesetz
bestimmen.
soll die Basis-Ermitterspannung bezeichnen.
Meine Fragen:
Ist der Ansatz so richtig?
Wie bekomme ich in diesem Falle
raus?
Danke!