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[quote="ThermodynamischesGleichge"][b]Meine Frage:[/b] Wenn ich ein intrinsischen Si-Chip sowohl mit Donatoren (Phosphor) als auch mit Akzeptatoren (Bor) dotiere, was passiert dann? Es wird davon augegangen, dass die Donatorendichte höher ist. [b]Meine Ideen:[/b] Ich habe 2 Quellen, die erste sagt mir aus, dass dann alleine die höhere Dotierung vorliegt. Das heisst wenn die Donatordichte höher ist, gilt in dem Chip: n = N_D und p = (ni²)/N_A Die andere Quelle meint, dass ich dann mit der Differenz zwischen Donatoren und Akzeptatoren rechnen muss. Also n = (N_D - N_A) und p = (ni²)/(N_D - N_A) Was stimmt nun?[/quote]
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ThermodynamischesGleichge
Verfasst am: 22. Jul 2014 14:10
Titel: Dotierung mit Donator und Akzeptator gleichzeitig
Meine Frage:
Wenn ich ein intrinsischen Si-Chip sowohl mit Donatoren (Phosphor) als auch mit Akzeptatoren (Bor) dotiere, was passiert dann? Es wird davon augegangen, dass die Donatorendichte höher ist.
Meine Ideen:
Ich habe 2 Quellen, die erste sagt mir aus, dass dann alleine die höhere Dotierung vorliegt. Das heisst wenn die Donatordichte höher ist, gilt in dem Chip:
n = N_D
und p = (ni²)/N_A
Die andere Quelle meint, dass ich dann mit der Differenz zwischen Donatoren und Akzeptatoren rechnen muss.
Also n = (N_D - N_A)
und p = (ni²)/(N_D - N_A)
Was stimmt nun?