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[quote="Janina_00"]E = Ef = 0,07eV k * T= 0,025eV f(E,T) =[u] 1 [/u] 1 + e (0,07eV / 0,025eV) = 0,057 Die Wahrscheinlichkeit betraet 5,7 % mehr habe ich nicht[/quote]
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Janina_00
Verfasst am: 25. Jun 2014 15:57
Titel:
jh8979 hat Folgendes geschrieben:
Die Aufgabe wird ja nicht vom Himmel gefallen sein, ihr werdet ja schon etwas zu Halbleitern, Valenz/Leitungsbaendern und deren Elektronen, Dotierungen, etc gemacht haben...
h
Verstehe diesen Thema nicht so richtig, kannst du mir helfen?
Janina_00
Verfasst am: 23. Jun 2014 14:48
Titel:
E = Ef = 0,07eV k * T= 0,025eV
f(E,T) =
1
1 + e (0,07eV / 0,025eV) = 0,057
Die Wahrscheinlichkeit betraet 5,7 %
mehr habe ich nicht
jh8979
Verfasst am: 23. Jun 2014 14:37
Titel:
Die Aufgabe wird ja nicht vom Himmel gefallen sein, ihr werdet ja schon etwas zu Halbleitern, Valenz/Leitungsbaendern und deren Elektronen, Dotierungen, etc gemacht haben...
Janina_00
Verfasst am: 23. Jun 2014 14:34
Titel:
leider nicht ://
jh8979
Verfasst am: 23. Jun 2014 14:22
Titel:
-> Eigene Ideen?
Janina_00
Verfasst am: 23. Jun 2014 14:15
Titel: Halbleiter
7. Halbleiterphysik
Ein Elektron in reinem Silizium eine Energie E von E- = 0,07 eV. Wie groß ist die Wahrscheinlichkeit, dass das Elektron das Leitungsband erreicht? (k*T = 0,025eV)? Wie nennt man diese Art der Leitung, die durch die Elektronen entsteht, die das Leitungsband erreichen? (4P)
Wie groß ist die Ladungsträgerbeweglichkeit in reinem Silizium (spezifischer Leitwert: 10³ A/Vm, intrinsische Ladungsträgerdichte 1,5 * 10 ^10 )? (2P)
Was versteht man unter Dotierung und wozu braucht man sie? (3P)
h= 6,626 * 10^-34 Js; c= 3* 10^8 m/s; Masse des Elektrons: m= 9,1 * 10^-31 kg;
e= 1,6 * 10^-19C