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[quote="Webo"]Ah, ich glaube ich bin selbst ein wenig weiter gekommen ... Die Formel hatten wir auch in Variaton mit [latex]e^{-\frac{E_L-E_F}{kT}}[/latex] wobei das dann ja [latex]- (E_L-E_F) = - E_G[/latex] ist. Trotzdem bin ich bei der Formel für die Löcher noch ratlos.[/quote]
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Webo
Verfasst am: 30. Aug 2012 21:51
Titel:
Ah, ich glaube ich bin selbst ein wenig weiter gekommen ...
Die Formel hatten wir auch in Variaton mit
wobei das dann ja
ist.
Trotzdem bin ich bei der Formel für die Löcher noch ratlos.
Webo
Verfasst am: 30. Aug 2012 20:55
Titel: Besetzung Leitungs/Valenzband in Halbleiter
Hallo, ich habe ein Verständnisproblem bei der Berechnung der Besetzung des Leitungs- bzw Valenzbandes in einem Halbleiter (in diesem Fall Silizium).
Gegeben:
Nun soll die Besetzung des Leitungsbandes von Silizium berechnet werden, wenn die Fermienergie
- an der Valenzbandkante
- Mitte Bandgap
- Leitungsbandkante liegt
Soweit so gut,
hab ich mir
genommen und wollte einsetzen.
Nach meinem Verständnis hätte ich jetzt für die verschiedenen Bereiche genommen:
- Fermieenergie an Valenzbank = 1,18eV
- Fermieenergie in der Mitte = 1,18eV / 2 = 0,59
- Fermieenergie an Leitungsband = 0eV
In der Formel in der Lösung zu dieser Aufgabe ist allerdings -1,18, bzw -0,59 angegeben
Wie ich da mit
draufkommen soll ist genau meine Frage - denn das Verständnis bräuchte ich auch noch für die Besetzung am Valenzbank, wo da in der Formel
steht!
Ich würde mich riesig freuen, wenn mir da jemand helfen könnte.