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[quote="nEmai"][b]Meine Frage:[/b] So aus meinem Skript: Niederinjektion Die meisten Halbleiterbauelemente arbeiten in diesem Bereich. Bsp: n-Typ Halbleiter Si mit [latex]N_D \approx n_0 = 10^{15}cm^{-3}[/latex] und mit Injektion von Löchern mit [latex]p=p_0+dp=\frac{n_i^2}{n_0}+10^{10}cm^{-3}[/latex] Der Halbleiter als ganzes bleibt ladungsneutral, deswegen gilt auch [latex]dn = 10^{10}cm^{-3} = dp[/latex] [b]Meine Ideen:[/b] Keine. Ich trete hier seit gestern auf der Stelle. Was ist überhaupt Ladungsinjektion? Also ich mein was der Name schon sagt verstehe ich, aber wie kommt das zu Stande? Außerdem verstehe ich auch nicht, was diese weitere Ladungsneutralitätsbedingung sagen soll, denn dotiere ich nen Halbleiter n, habe ich zwar ein paar freie Elektronen aber ladungsneutral ist das Ding doch trotzdem. Die Donatoren haben dann ja eine positive Kernladung. Auch verstehe ich das dn nicht; denn intrinsisch ist n ca. 10^10 bei Si, hier ist es jetzt 10^15 dotiert aber der Unterschied sei 10^10...? Kann mir irgendjemand näher bringen, um was es hier geht?[/quote]
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Nachricht
nEmai
Verfasst am: 22. Apr 2011 16:45
Titel: Niederinjektion
Meine Frage:
So aus meinem Skript:
Niederinjektion
Die meisten Halbleiterbauelemente arbeiten in diesem Bereich.
Bsp:
n-Typ Halbleiter Si mit
und mit Injektion von Löchern mit
Der Halbleiter als ganzes bleibt ladungsneutral, deswegen gilt auch
Meine Ideen:
Keine. Ich trete hier seit gestern auf der Stelle. Was ist überhaupt Ladungsinjektion? Also ich mein was der Name schon sagt verstehe ich, aber wie kommt das zu Stande?
Außerdem verstehe ich auch nicht, was diese weitere Ladungsneutralitätsbedingung sagen soll, denn dotiere ich nen Halbleiter n, habe ich zwar ein paar freie Elektronen aber ladungsneutral ist das Ding doch trotzdem. Die Donatoren haben dann ja eine positive Kernladung.
Auch verstehe ich das dn nicht; denn intrinsisch ist n ca. 10^10 bei Si, hier ist es jetzt 10^15 dotiert aber der Unterschied sei 10^10...?
Kann mir irgendjemand näher bringen, um was es hier geht?