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[quote="nekros7"]Das würde dann heissen dass die Stromverstärkung am Emitter Ausgang stattfindet, oder? Das heisst ich müsste das Amperemeter Emitterseitig anbringen. Aber warum ist dann die Verstärkung als [latex]B=\frac{I_{C}}{I_{B}}[/latex] definiert, wenn [latex]I_{E}[/latex] doch größer ist?[/quote]
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nekros7
Verfasst am: 07. Aug 2010 14:34
Titel:
Das würde dann heissen dass die Stromverstärkung am Emitter Ausgang stattfindet, oder? Das heisst ich müsste das Amperemeter Emitterseitig anbringen. Aber warum ist dann die Verstärkung als
definiert, wenn
doch größer ist?
schnudl
Verfasst am: 07. Aug 2010 10:35
Titel:
Das ist weniger eine Frage dessen, was im inneren des Transistor vor sich geht (das Wissen darüber brauchst du eigentlich nicht, wenn es darum geht eine Schaltung zu verstehen - dazu reichen die Kennlinienfelder komplett aus), sondern eine Frage der Strombilanz: Für jedes Objekt, das keine Ladungen speichern kann, muss die Summe der hineinfließenden Ströme gleich der Summe der hinausfließenden Ströme sein (Knotenregel):
nekros7
Verfasst am: 07. Aug 2010 09:52
Titel:
Ok, langsam wird es verständlicher...nur ich habe eine Frage zu der Formel:
Die Elektronen gelangen über die Basis in die Verarmungszone des Kollektors. Die Kollektor-Basisdiode kann man als in Sperrrichtung geschaltet sehen. Das heisst, alle Elektronen die in die Verarmungszone gelangen werden sofort "abgesaugt", und fließen über den Kollektor ab.
So, am Emitter liegt ja + an, das heisst die Emitter-Basisdiode ist ja in Durchlassrichtung geschaltet.
Warum trägt der Emitterstrom nicht zum Kollektorstrom bei? Was passiert mit den Elektronen vonder in Durchassrcihtung geschalteten Basis-Emitterdiode?
schnudl
Verfasst am: 07. Aug 2010 07:40
Titel:
Nochmals in anderen Worten:
Ganz links ist ein Spannungsteiler mit R1, R2. Die Spannung an R2 wird
Das stimmt zwar nur näherungsweise, da R2 mit IB belastet wird. Aber man wählt den Querstrom durch R1 und R2 ca. 10x größer als IB, so dass man letzteren vernachlässigen kann. Also ist U2 mal fix vorgegeben.
Weiters haben wir
Da U2=const ist, muss U(BE) sinken, wenn Ic steigt.
Dies wirkt wiederum dem steigenden Ic entgegen.
nekros7
Verfasst am: 06. Aug 2010 23:29
Titel:
ok, aber die Begrundung warum
fällt, kann man das als eine parallelschaltung sehen?
DrStupid
Verfasst am: 06. Aug 2010 21:58
Titel:
nekros7 hat Folgendes geschrieben:
Spielt R1 wirklich eine Rolle?
R1 begrenzt den Strom, der durch die Basis fließt. Er sorgt dafür, dass überhaupt etwas passiert und dass der Transistor das auch überlebt.
nekros7
Verfasst am: 06. Aug 2010 20:30
Titel:
Aber es gilt doch (habe mich verlesen)
oder kann man das nicht als Begründung sehen?
Spielt R1 wirklich eine Rolle?
PhyMaLehrer
Verfasst am: 06. Aug 2010 18:33
Titel:
Nicht Ue, das ist die zu verstärkende Eingangswechselspannung. Aber für die hier nicht näher bezeichnete Spannung über R2 gilt Iq * R2 = Ube + Ure.
R1 und R2 bilden doch einen Spannungsteiler. Dieser wird natürlich durch Ib belastet, aber man dimensioniert die Widerstände so, daß Iq >> Ib ist. Dadurch verändern sich der Querstrom und die Spannungsverhältnisse an R1 und R2 nur sehr wenig, wenn sich Ib etwas ändert. Da die Summe Ube + Ure sozusagen festgelegt ist - sie ist eben gleich der Spannung über R2 -, muß Ube sinken, wenn Ure durch einen steigenden Kollektorstrom größer wird.
nekros7
Verfasst am: 06. Aug 2010 16:38
Titel: Emitterschaltung mit Stromgegenkopplung
Ich habe eine Frage zur Emitterschaltung. Es geht um das Bild mit dem Titel "Strom- und Spannungsverteilung" auf der site
http://www.elektronik-kompendium.de/sites/slt/0204134.htm
In der Beschreibung heisst es
Zitat:
Nach dem Ohmschen Gesetz fällt dort eine größere Spannung U_RE ab. Dadurch wird die Basis-Emitter-Spannung U_BE kleiner.
Ich frage mich warum das so ist. Liegt das daran, dass
gelten muss, also dass man das quasi als Parallelschaltung behandeln muss?