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Formeleditor
[quote="pulpago"]hallo leute :) ich habe hier zwei aufgeben bei denen ich irgendwie nicht weiterkomme A3 Welcher spezifische Widerstand läßt sich für reines Si bzw Ge azs der Inversionsdichte und der Beweglichkeit der Ladungsträger bei 300k berechnen? A4 Die Inversionsdichte für Ge betrage bei 300K [latex]2,2*10^{-13} cm^{-3} [/latex]. Wie groß sind die Elektronen und Löcherdichte, wenn mit 2*10^{16} Akzeptoratomen je cm^{3} dotiert worden ist Lösungen A3 kappa Ge= [latex]2,16 S/m[/latex] kappa Si = [latex]5,38*10^{-4} S/m[/latex] A4 pp =[latex] 2*10^{16} cm^{-3}[/latex] np=[latex]2,42*10^{-3}cm^{-3}[/latex] ich komme vorallem bei aufgabe 3 nicht weiter da fehlt mir jeglicher ansatz vielleicht kann mir jemand nen schubs geben mfg pulp[/quote]
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Hagbard
Verfasst am: 16. Jun 2009 07:49
Titel:
Hallo, habe gerade keine Zeit um deine geposteten Ergebnisse nachzurechnen, aber bei der 3) kann ich dir einen Tipp geben:
Der Kehrwehrt von Sigma ist gesucht. Wie du
aus der Ladungsträgerdichte und der Ladungsträgergeschwindigkeit aufbaust weißt du sicher. Die Ladungsträgerbeweglichkeit ist ja bekanntlich
Gruß
pulpago
Verfasst am: 15. Jun 2009 22:51
Titel: Halbleitertechnik
hallo leute
ich habe hier zwei aufgeben bei denen ich irgendwie nicht weiterkomme
A3
Welcher spezifische Widerstand läßt sich für reines Si bzw Ge azs der Inversionsdichte und der Beweglichkeit der Ladungsträger bei 300k berechnen?
A4
Die Inversionsdichte für Ge betrage bei 300K
.
Wie groß sind die Elektronen und Löcherdichte, wenn mit 2*10^{16} Akzeptoratomen je cm^{3} dotiert worden ist
Lösungen
A3
kappa Ge=
kappa Si =
A4
pp =
np=
ich komme vorallem bei aufgabe 3 nicht weiter da fehlt mir jeglicher ansatz vielleicht kann mir jemand nen schubs geben
mfg
pulp